بررسی اثر ناخالصی لانتانیم اکسید بر ویژگی حسگری نانو ساختار گل مانند روی اکسید
Authors
abstract
در این کار پژوهشی، روی اکسید گل مانند با روش تابش دهی امواج ریزموج، با استفاده از پیش ماده روی استات و آب به عنوان حلال تهیه شد. نمونه با استفاده از تصویرهای میکروسکوپ الکترونی و تجزیه عنصری edx و پراش پرتو ایکس مورد شناسایی قرار گرفت. سپس حسگر به دست آمده با درصدهای متفاوت از دوپه ناخالصی، برای بررسی انتخابی گری نسبت به اتانول با غلظت ppm 500 در معرض گازهای متان، کربن مونو اکسید و اتانول قرار گرفت.نمونه حاوی 5% ناخالصی انتخابی گری بالایی نسبت به اتانول در حضور گازهای متان و کربن مونو اکسید از خود نشان داد. هم چنین، وجود ناخالصی لانتانیم اکسید بر زمان پاسخ و بازیابی تأثیر داشته و می تواند برای تهیه حسگرهای گازی با انتخابی گری نسبت به اتانول مورد استفاده قرار گیرد.
similar resources
اثر افزودنی اکسید ایتریم روی پایداری ساختار اکسید بیسموت
ترکیب Bi2O3 - 25%mol Y2O3 75%mol درسیستم Bi2O3 - Y2O3 به عنوان ترکیب پایه با بالاترین هدایت یونی قابلیت پایدارسازی فاز مکعبی �?-Bi2O3 را دارد. ترکیب مذکور به روش مخلوط حالت جامد تهیه شده و پس از گرانول سازی نمونه?ها به شکل�قرص در آورده شدند. نمونه?های تهیه شده در دمای C˚950 و به مدت زمان3600 ساعت تف جوشی شدند. آنالیز پراش پرتو ایکس نمونه ها بیانگر تثبیت فاز مکعبی در دمای پایین بود. هم چنین با ا...
full textاثر ورمی کمپوست حاوی نانو ذرات اکسید مس و اکسید روی بر برخی ویژگی های زراعی لوبیا چیتی
به منظور بررسی تأثیر ورمی کمپوست حاوی نانو ذرات اکسید مس و اکسید روی بر لوبیا چیتی، آزمایش فاکتوریل در قالب طرح بلوکهای کامل تصادفی در سه تکرار اجرا گردید. تیمارهای آزمایش شامل نانو ذرات در 4 سطح (صفر، 4/0، 8/0 و 2/1گرم بر کیلوگرم وزن بستر)، ورمی کمپوست در 3 سطح (5/2، 5 و 5/7 درصد وزنی بستر) و نوع نانو ذرات در دو سطح (اکسید مس و اکسید روی) بودند. پس از آمادهسازی بسترها، به هر یک تعدادی کرم با...
full textمقایسه ویژگی نانو ساختاری اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم
Recently, high – K materials such as Al2O3 and TiO2 films have been studied to replace ultra thin gate silicon dioxide film. In the present work, these films were grown on the top of Si(100) surface at different temperatures and under ultra high vacuum conditions. The obtained results showed that Al2O3 has a structure better than that of TiO2 and thus can be used as a good gate dielectric ...
full textMy Resources
Save resource for easier access later
Journal title:
پژوهش های کاربردی در شیمیجلد ۱۰، شماره ۱، صفحات ۵۳-۵۸
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023